三星:3nm工艺最早2021年量产

2019-01-12 15:00:18 作者:浮生  阅读:86 次  点赞:0 次  鄙视:0 次  收藏:0 次  由 www.08fg.com 收集整理

IT之家1月12日消息 在去年5月的Samsung Foundry Forum论坛上,三星宣布了5/4/3nm工艺技术。据今日Tom's Hardware带来的消息,三星计划最早在2021年开始量产3nm工艺芯片。

除此之外,三星方面还表示,将在今年下半年开始生产7nm EUV芯片。在去年,三星还表示将在2020年用上4nm GAAFET(Gate-all-around FET,或称“环绕式结构FET”)工艺。不过包括Garner副总裁Samuel Wang在内的一些业内人士,对GAAFET芯片是否能在2022年前投入生产表示了怀疑。

虽然台积电、格罗方德Global Foundries)在EUV芯片开发上方面并不落后,但三星也有自己的一个优势。三星已经在内部开发了自家了EUV掩膜检测工具,只是尚未开发出类似的商业工具。

本文关键词:三星 , 芯片 , 纳米技术

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